一款异步256kB SRAM的设计

作     者：潘培勇 李红征 PAN Pei-yong;LI Hong-zheng

作者机构：江南大学信息工程学院江苏无锡214036 中国电子科技集团公司第58研究所江苏无锡214035 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2007年第7卷第10期

页      码：17-20页

摘      要：在集成电路设计制造水平不断提高的今天,SRAM存储器不断朝着大容量、高速度、低功耗的方向发展。文章提出了一款异步256kB(256k×1)SRAM的设计,该存储器采用了六管CMOS存储单元、锁存器型灵敏放大器、ATD电路,采用0.5μm体硅CMOS工艺,数据存取时间为12ns。

主 题 词：静态随机存储器 存储单元 译码器 灵敏放大器 地址变化探测电路 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1681-1070.2007.10.004

馆 藏 号：203113225...