高梯度真空绝缘子结构的模拟设计

作     者：屈立辉 刘列 吕志辉 徐启福 QU Li-hui;LIU Lie;LU Zhi-hui;XU Qi-fu

作者机构：国防科技大学光电科学与工程学院湖南长沙410073 

出 版 物：《高压电器》 (High Voltage Apparatus)

年 卷 期：2007年第43卷第6期

页      码：463-465,473页

摘      要：HGI是由周期性的导体层和绝缘层装配而成,周期长度、绝缘层与金属层厚度比例的改变都会影响绝缘性能。绝缘材料选定为Kapton,导体材料选定为无锈钢,导体层与绝缘层齐平,利用有限元软件对不同几何结构、不同外电场情况下的电子轨迹进行模拟。电子轨迹的数值模拟计算表明:①设计合理时,HGI中的周期性电场能够抑制电子崩的发展。其中周期长度0.2 mm,厚度比例为5的结构最有可能得到好的绝缘效果;②绝缘层为+45°结构时效果更好;③模拟软件本身有一定的局限性。

主 题 词：高梯度绝缘子 结构设计 Kapton 电子轨迹 数值计算 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-1609.2007.06.019

馆 藏 号：203113228...