并联SiC MOSFET的均温设计

作     者：刘双华 吴慧玲 陈志雪 LIU Shuanghua;WU Huiling;CHEN Zhixue;CRRC Zhuzhou

作者机构：中车株洲电机有限公司412000 

出 版 物：《电机技术》 (Electrical Machinery Technology)

年 卷 期：2022年第3期

页      码：30-32页

摘      要：为了解决SiC MOSFET并联产生的不均流问题,降低并联器件的温度差异性对均流的影响,通过采用均温板的方案,减小了并联器件的温度差异性。当采用0.5 mm的均温板后,通过试验得到的并联器件之间的最大温差仅为1.83 K,验证了该均温方案的有效性。

主 题 词：SiC MOSFET 并联 均流 均温 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1006-2807.2022.03.008

馆 藏 号：203113335...