基于GaN HEMT F类功率放大电路设计

作     者：刘多伟 程飞 黄卡玛 

作者机构：四川大学电子信息学院四川成都610065 

出 版 物：《电子制作》 (Practical Electronics)

年 卷 期：2022年第30卷第12期

页      码：9-12页

摘      要：本文基于一款商用GaN HEMT功率器件设计了一款工作在2.45GHz的高效F类功率放大器。该电路的设计利用负载牵引—源牵引仿真技术的方法,确定基波的最佳功率和最佳效率阻抗区域。输出匹配网络在功率器件电流源面对二次谐波短路,对三次谐波开路。另外,为该放大器设计了一款时序保护电路,可提供栅极电压-2.7V,漏极电压28V。仿真结果显示,在2.45GHz时,饱和输出功率为44.17dBm,功率附加效率为73.1%,增益14.1dB。可以应用于微波无线能量传输、微波加热等领域。

主 题 词：负载牵引 GaN HEMT 高效率 F类功率放大器 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16589/j.cnki.cn11-3571/tn.2022.12.006

馆 藏 号：203113516...