与硅基CMOS兼容且具有超高响应率和比探测率的二维二硒化铂自驱动光电探测器

作     者：叶鹏 肖涵 朱清海 孔宇晗 唐幼梅 徐明生 Peng Ye;Han Xiao;Qinghai Zhu;Yuhan Kong;Youmei Tang;Mingsheng Xu

作者机构：School of Micro-Nano ElectronicsState Key Laboratory of Silicon MaterialsZhejiang UniversityHangzhou 310027China 

基　　金：supported by the National Natural Science Foundation of China(62090030/62090031,51872257,and 51672244) the National Key R&D Program of China(2021YFA1200502) the Natural Science Foundation of Zhejiang Province,China(LZ20F040001) 

出 版 物：《Science China Materials》 (中国科学（材料科学（英文版）)

年 卷 期：2023年第66卷第1期

页      码：193-201页

摘      要：因二维材料的独特性质及其可调谐的光谱响应,基于二维材料的光电探测器受到广泛关注.然而,它们的性能还不够突出,其制造工艺与硅基互补金属氧化物半导体技术工艺流程的兼容性还需要评估.在本文中,我们报道了一种基于二硒化铂/超薄二氧化硅/硅异质结构的高性能、空气稳定、自驱动、室温宽带光电探测器.该光电探测器表现出超高的响应度(8.06 AW-1)和比探测率(4.78×10^(13)cm Hz^(1/2)W^(-1))、极低的暗电流(0.12 pA)以及优秀的开关比(1.29×10^(9)).在375,532,1342和1550 nm波长处所测的光电流响应度分别为2.12,5.56,18.12和0.65 m AW^(-1).此外,制造的9×9器件阵列不仅展示了该探测器非常好的均匀性和可重复性,而且还显示了其在紫外-可见-近红外照明成像应用领域的潜力.我们设计的二硒化铂/超薄二氧化硅/硅异质结光电探测器极大地抑制了暗电流,提高了二极管的理想因子并增加了界面势垒.因此,它为改善光电探测器性能的设计提供了一种新策略.

主 题 词：光电探测器 比探测率 自驱动 暗电流 互补金属氧化物半导体 响应率 异质结构 光谱响应 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.1007/s40843-022-2119-1

馆 藏 号：203113518...