GaN基同型异质结IMPATT二极管噪声特性研究

作     者：戴扬 党江涛 叶青松 卢昭阳 张为伟 雷晓艺 赵胜雷 赵武 DAI Yang;DANG Jiangtao;YE Qingsong;LU Zhaoyang;ZHANG Weiwei;LEI Xiaoyi;ZHAO Shenglei;ZHAO Wu

作者机构：西北大学信息科学与技术学院西安710127 上海精密计量测试研究所上海201109 西安电子科技大学微电子学院西安710071 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61804125 61701402 62004163) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2022年第52卷第3期

页      码：459-465页

摘      要：针对p型GaN IMPATT制造工艺仍未成熟,提出了一种InGaN/GaN n-n型异质结构来取代常规p-n结构,使GaN IMPATT二极管工作在IMPATT模式下。研究了这种n-n型InGaN/GaN碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管的噪声特性,与同等条件下的传统GaN基p-n结IMPATT二极管作比较。结果表明,在不同偏置电流密度和不同InGaN层厚度下,该器件的噪声特性均好于传统p-n结构。结合器件交流输出特性可以得知,InGaN/GaN同型异质结IMPATT器件不仅在功率效率上优于GaN p-n结构,其噪声性能表现亦优于传统GaN p-n结构,特别是在高频段的噪声特性优势更加明显。该研究可以为GaN基IMPATT器件的设计提供更多的思路和参考。

主 题 词：InGaN/GaN 异质结 IMPATT 均方噪声电压 噪声测度 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.210267

馆 藏 号：203113531...