基于GaAs工艺的2~6GHz高效率收发多功能芯片设计

作     者：王为 袁野 廖学介 滑育楠 WANG Wei;YUAN Ye;LIAO Xuejie;HUA Yunan

作者机构：成都嘉纳海威科技有限责任公司四川610041 

出 版 物：《集成电路应用》 (Application of IC)

年 卷 期：2022年第39卷第6期

页      码：17-19页

摘      要：阐述一款基于GaAsp HEMT的2~6GHz收发多功能芯片的设计,该芯片集成了收发切换开关、接收低噪声放大器和发射功率放大器,具有高集成、低噪声、高增益、高输出功率和附加效率的特点。测试结果显示,在2~6GHz,接收通道增益25dB,噪声系数小于2.5dB,输出P1dB功率13.5dBm,电流小于50mA;发射通道增益大于28dB,饱和输出功率大于23.5dBm,功率附加效率24%~38%,电流小于230mA。芯片尺寸为:3.0mm×2.2mm。

主 题 词：集成电路设计 GaAs pHEMT 多功能芯片 低噪声 高效率 MMIC 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19339/j.issn.1674-2583.2022.06.007

馆 藏 号：203113532...