基于双电压和倍频技术的低功耗高效率发射机

作     者：崔梦倩 宗培胜 魏国 王科平 CUI Meng-qian;ZONG Pei-sheng;WEI Guo;WANG Ke-ping

作者机构：天津大学微电子学院天津300072 东南大学信息科学与工程学院江苏南京211189 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61774035) 江苏省自然科学基金资助项目(BK20191260) 

出 版 物：《浙江大学学报（工学版）》 (Journal of Zhejiang University：Engineering Science)

年 卷 期：2022年第56卷第7期

页      码：1294-1301页

摘      要：为了克服电池容量的局限性,延长芯片的待机时间,针对传统发射机的高功耗、低效率问题,提出新型发射机架构.采用2级注入锁定环形振荡器提供多相信号,电荷泵自举升压电路对该多相信号进行电压提升,实现低电压低功耗设计.边沿合成器对多相信号进行倍频,使前级电路工作在低频,降低系统功耗.基于55 nm CMOS工艺,设计433 MHz ISM频段发射机进行验证.仿真结果表明,发射机的输出功率为−9.7 dBm,环形振荡器和电荷泵自举升压电路工作在0.6 V电源电压下,边沿合成器工作在1.2 V电源电压下,发射机整体功耗为357.04μW,效率为29.83%,版图面积为70μm×100μm.实验结果证明,所提结构具有功耗低、效率高、面积小和复杂度低的优点.

主 题 词：发射机 低功耗 低电压 自举升压 边沿合成 注入锁定 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3785/j.issn.1008-973X.2022.07.004

馆 藏 号：203113536...