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氮化硅低损耗光栅耦合器的设计与制备

氮化硅低损耗光栅耦合器的设计与制备

作     者:梁宇鑫 李智慧 范诗佳 杨忠华 刘大鹏 冯靖 廖海军 崔乃迪 LIANG Yuxin;LI Zhihui;FAN Shijia;YANG Zhonghua;LIU Dapeng;FENG Jing;LIAO Haijun;CUI Naidi

作者机构:联合微电子中心有限责任公司重庆401332 

出 版 物:《光通信技术》 (Optical Communication Technology)

年 卷 期:2022年第46卷第4期

页      码:68-72页

摘      要:为实现光栅耦合器与光纤的高效率耦合,基于联合微电子中心有限责任公司(CUMEC)超低损耗氮化硅平台,成功设计并开发了与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的低损耗、小尺寸氮化硅光栅耦合器。首先对光栅关键参数进行了仿真计算,选择最优参数进行光栅耦合器的设计。然后,基于CUMEC超低损耗氮化硅平台,采用聚焦光栅结构,极大地缩小了光栅耦合器的尺寸,得到的氮化硅聚焦光栅耦合器小线宽结构制备良好。搭建了光学测试系统完成聚焦光栅性能表征,测试结果表明,损耗最优值为4.48 dB,对应波长1548 nm,1 dB带宽大于45 nm。

主 题 词:聚焦光栅 氮化硅平台 集成光子 低压化学气相沉积 

学科分类:070207[070207] 07[理学] 0702[理学-物理学类] 

D O I:10.13921/j.cnki.issn1002-5561.2022.04.012

馆 藏 号:203113541...

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