量子点发光二极管中电荷累积行为

作     者：王成 张弛 黎瑞锋 陈琪 钱磊 陈立桅 Cheng Wang;Chi Zhang;Ruifeng Li;Qi Chen;Lei Qian;Liwei Chen

作者机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所国际实验室中国科学院纳米科学卓越中心江苏苏州215123 上海科技大学物质科学与技术学院上海201210 中国科学院宁波材料技术与工程研究所浙江宁波315201 中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院合肥230026 上海交通大学化学与化工学院物质科学原位中心上海200240 

基　　金：国家重点研究发展计划(2016YFA0200700) 国家自然科学基金(21625304,21875280,22022205,21991150,21991153)资助项目 

出 版 物：《物理化学学报》 (Acta Physico-Chimica Sinica)

年 卷 期：2022年第38卷第8期

页      码：51-57页

摘      要：量子点发光二极管(QLED)是不需要额外光源的主动发光技术,在显示领域中的应用前景被广泛看好。寿命较短是影响QLED商业化的重要因素之一,并且其老化机理尚不清晰。在本工作中,我们通过自主搭建电荷提取装置,证实红光QLED在恒流驱动过程中,存在显著的电荷累积。累积电荷量随着驱动电流密度增加而增加,但当超过阈值电流密度(对应于开启电压)后逐渐趋于饱和。随着器件老化,亮度下降伴随着累积电荷量进一步增加。本工作对QLED老化过程中电荷累积规律的理解,能为QLED材料和界面的优化设计提供直观判据。

主 题 词：量子点发光二极管 寿命 注入势垒 电荷累积 注入平衡 

学科分类：08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3866/PKU.WHXB202104030

馆 藏 号：203111434...