离子束抛光去除边界效应延拓修正研究

作     者：周迪 蒋世磊 孙国斌 康乐 刘卫国 Zhou Di;Jiang Shilei;Sun Guobin;Kang Le;Liu Weiguo

作者机构：西安工业大学光电工程学院陕西西安710021 

基　　金：陕西省教育厅重点实验室科研计划项目(18JS053) 

出 版 物：《激光与光电子学进展》 (Laser & Optoelectronics Progress)

年 卷 期：2022年第59卷第13期

页      码：346-351页

摘      要：针对离子束抛光光学元件过程中产生的边界效应问题,提出了基于多项式拟合延拓的抑制方法。利用多项式延拓方法对初始面形进行边界延拓,并对得到的延拓面形进行仿真,仿真后面形均方根值为5.20 nm。采用离子束抛光技术对100 mm口径的K9光学元件进行加工,加工后的面形均方根值由19.26 nm降至12.23 nm。选取加工后的面形8%作为边界面形,边界面形均方根值由137.23 nm降至56.72 nm,通过仿真和实验,验证了该方法的可行性。该研究可以为光学加工提供一种新的方法。

主 题 词：光学设计 离子束抛光 边界效应 边界延拓 多项式拟合 

学科分类：12[管理学] 1201[管理学-管理科学与工程类] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 0802[工学-机械学] 0702[理学-物理学类] 080201[080201] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/LOP202259.1322004

馆 藏 号：203113748...