基于GaN微米阵列结构的单芯片白光LED有源区InGaN/GaN多量子阱结构设计

作     者：王永嘉 杨旭 李金钗 黄凯 康俊勇 WANG Yong-jia;YANG Xu;LI Jin-chai;HUANG Kai;KANG Jun-yong

作者机构：厦门大学物理学系微纳光电子材料与器件教育部工程研究中心福建省半导体材料及应用重点实验室半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心福建厦门361005 厦门市未来显示技术研究院嘉庚创新实验室福建厦门361005 

基　　金：国家重点研发计划(2021YFB3600101) 国家自然科学基金(61874090) 福建省自然科学基金(2021J01008) 厦门市重大科技项目(3502Z20191016)资助 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2022年第43卷第7期

页      码：1130-1138页

摘      要：通过模拟仿真对双波长堆叠的c面InGaN/GaN多量子阱(MQWs)发光二级管的载流子浓度、自发辐射复合率以及极化电场等进行了研究。结果表明,通过调节双波长堆叠的InGaN多量子阱的阱层和垒层厚度,可调控载流子特别是空穴在量子阱有源区的分布,实现双波长发光峰比例调制。进而考察了在相同外延条件下生长的半极性面InGaN/GaN堆叠量子阱LED的发光特性。在此基础上,提出基于多波长堆叠InGaN/GaN多量子阱结构的c面和{1011}或{1122}半极性面混合的单芯片白光LED设计方案,通过调节c面发光光谱在混合光谱中的比例,可获得覆盖大部分可见光波段、色温从4500~9000 K可调、且显色指数最高可达91.3的白光。

主 题 词：单芯片白光LED 半极性面 InGaN 极化效应 

学科分类：0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.37188/CJL.20220115

馆 藏 号：203113753...