微波混合电路的静电防护

作     者：李保第 范国莹 白红美 王朋 宇文耀民 付兴辰 

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄0510051 

出 版 物：《通讯世界》 (Telecom World)

年 卷 期：2022年第29卷第3期

页      码：136-138页

摘      要：为了减少封装过程中静电对微波混合电路中敏感芯片造成的损伤,本文针对高电子迁移率场效应晶体管(high electron mobility transistors,HEMT)制备工艺中的氮化镓功率放大器和砷化镓低噪声放大器两种典型微波混合电路,从产品的防静电设计角度和平行缝焊工装的设计优化两个方面,提出了两套解决方案,从而有效提升两款器件的静电防护能力和长期可靠性。

主 题 词：氮化镓HEMT 砷化镓HEMT 保护电路 平行缝焊 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1006-4222.2022.03.046

馆 藏 号：203113774...