高电流密度GAT型功率开关晶体管的结构设计优化

作     者：王哲 吴郁 亢宝位 程序 

作者机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100022 

基　　金：北京市自然科学基金资助项目 ( No.4972 0 0 5 ) 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2001年第22卷第11期

页      码：1444-1449页

摘      要：对 GAT (Gate Associated Transistor)型高速高压功率开关管提出了一些新的结构改进设想 ,包括两种新的平面版图设计以及改变栅区掺杂浓度 ,以解决其最大集电极电流远小于常规双极功率管这个关键问题 ,并对此进行了计算机仿真及试验研究 .

主 题 词：开关晶体管 栅辅助晶体管 结构设计优化 高流密度 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2001.11.019

馆 藏 号：203113978...