富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件满足高效电源单元供应市场需求

出 版 物：《电子设计工程》 (Electronic Design Engineering)

年 卷 期：2012年第20卷第24期

页      码：164-164页

摘      要：富士通半导体（上海）有限公司宣布采用其基于硅基板的氮化镓（GaN）功率器件的服务器电源单元成功实现2．5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会做出重大贡献。

主 题 词：功率器件 电源单元 半导体 富士通 氮化镓 市场需求 供应 高输出功率 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203114036...