氮掺杂导电碳化硅陶瓷研究进展

作     者：杨建国 沈伟健 李华鑫 贺艳明 闾川阳 郑文健 马英鹤 魏连峰 YANG Jianguo;SHEN Weijian;LI Huaxin;HE Yanming;LYU Chuanyang;ZHENG Wenjian;MA Yinghe;WEI Lianfeng

作者机构：浙江工业大学化工机械设计研究所杭州310023 过程装备及其再制造教育部工程研究中心杭州310023 浙江工业大学机械工程学院杭州310023 中国核动力研究设计院成都610213 

基　　金：国家自然科学基金(52005445,51975530) 浙江省自然科学基金(LQ21E050018) 国家磁约束核聚变能发展研究专项(2019YFE03100400) 

出 版 物：《材料工程》 (Journal of Materials Engineering)

年 卷 期：2022年第50卷第9期

页      码：18-31页

摘      要：可电火花加工的导电碳化硅(SiC)陶瓷不仅可以克服传统高电阻率SiC陶瓷难加工的突出缺点,而且能够保留传统高电阻率SiC陶瓷的其他优异性能,在结构陶瓷领域取代传统的高电阻率SiC陶瓷具有突出优势。本文阐述了粉末烧结制备氮掺杂导电SiC陶瓷的原理,归纳总结分析了其粉末烧结制备方法、烧结助剂的种类及其所获得SiC陶瓷的热电和力学性能。同时,探讨了SiC陶瓷的电性能影响因素,为调控SiC陶瓷的电性能提供了参考依据。最后,指出了氮掺杂导电SiC陶瓷面临的主要挑战,在未来研究中,应聚焦于发展新烧结技术与烧结添加剂体系以及澄清电性能调控机制,为制备电阻率可控的高性能导电SiC陶瓷奠定技术基础。

主 题 词：碳化硅 导电陶瓷 氮掺杂 电性能 力学性能 

学科分类：08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.11868/j.issn.1001-4381.2021.001052

馆 藏 号：203114193...