激光刻蚀铜的低温二次电子发射特性研究

作     者：方键威 洪远志 王思慧 张文丽 范乐 朱邦乐 卞抱元 尚雷 王勇 FANG Jianwei;HONG Yuanzhi;WANG Sihui;ZHANG Wenli;FAN Le;ZHU Bangle;BIAN Baoyuan;SHANG Lei;WANG Yong

作者机构：中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029 

基　　金：国家自然科学基金项目(11975226) 

出 版 物：《真空科学与技术学报》 (Chinese Journal of Vacuum Science and Technology)

年 卷 期：2022年第42卷第8期

页      码：573-577页

摘      要：为降低加速器运行的热负载和提高束流质量,抑制电子云效应成为未来粒子加速器设计和建造过程中的基本要求。二次电子产额(SEY)是电子云现象产生的主要因素之一,它代表材料表面产生二次电子的能力。激光刻蚀技术是一种通过修改材料表面微观形貌从而抑制二次电子发射的方法,它具有操作简单,重复性高等优点。为评估激光刻蚀技术的工程应用潜力,本文搭建一台低温二次电子产额测试系统。以不同图案对无氧铜样品进行激光刻蚀,研究样品在不同温度下的二次电子发射特性曲线。扫描电子显微镜测试结果显示,刻蚀后的样品表面存在规则的沟壑结构和球状结构。低温下材料表面SEY受吸附气体层和基底固有属性的共同作用的影响,同时基底的微观形貌也影响二次电子发射的能力。

主 题 词：低温 二次电子 激光刻蚀 电子云 无氧铜 

学科分类：08[工学] 082701[082701] 0827[工学-食品科学与工程类] 

D　O　I：10.13922/j.cnki.cjvst.202204010

馆 藏 号：203114245...