金属基极紫外光刻胶

作     者：陈昊 陈鹏忠 彭孝军 CHEN Hao;CHEN Pengzhong;PENG Xiaojun

作者机构：大连理工大学精细化工国家重点实验室智能材料化工前沿科学中心辽宁大连116024 大连理工大学宁波研究院浙江宁波315016 大连理工大学深圳研究院广东深圳518057 

基　　金：国家自然科学基金重大项目(22090011) 国家自然科学基金青年基金项目(22008024) 山东省重点研发计划项目(2021CXGC010308) 

出 版 物：《化工学报》 (CIESC Journal)

年 卷 期：2022年第73卷第8期

页      码：3307-3325页

摘      要：由于具有光源波长短(13.5 nm)、图案化分辨率高等优点,极紫外(extreme ultraviolet,EUV)光刻技术被认为是突破5 nm甚至是3 nm半导体芯片制程节点的关键技术,与之相对应的EUV光刻胶研发广受关注。但传统的基于聚合物体系的化学放大光刻胶(chemical amplified resist,CAR)因尺寸过大、对EUV吸收低,限制了其在EUV光刻技术的应用进程。部分含有d轨道电子的金属元素具有高的EUV吸收截面,在光刻胶分子中引入这些金属元素可以有效提高对EUV的灵敏度。通过分子设计制备尺寸小、EUV吸收高的金属基光刻胶材料是解决EUV光刻胶服役性能问题的有效途径,已得到了广泛的研究。本文按金属氧簇(MOCs)、金属氧化物纳米粒子(NP)、金属-有机小分子(MORE)进行分类,对目前国内外的EUV光刻胶研究进展进行总结,并对EUV光刻胶未来所面临的机遇和挑战进行了展望。

主 题 词：极紫外光 光刻胶 集成电路 光敏性 抗刻蚀性 

学科分类：081704[081704] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 081701[081701] 

核心收录：

D　O　I：10.11949/0438-1157.20220583

馆 藏 号：203114289...