碲镉汞红外光电探测器局域场表征研究进展(特邀)

作     者：刘书宁 唐倩莹 李庆 Liu Shuning;Tang Qianying;Li Qing

作者机构：国科大杭州高等研究院物理与光电工程学院浙江杭州310024 中国科学院上海技术物理研究所上海200083 

基　　金：国家重点研发计划(2020 YFB2009300) 上海市科技计划(21 ZR1473400) 杭州市科技发展计划(2020 ZDSJ901) 

出 版 物：《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期：2022年第51卷第7期

页      码：36-48页

摘      要：碲镉汞材料(HgCdTe)是第三代红外探测系统中使用的重要探测材料,其发展水平能基本反映当前红外探测器最优性能指标。近年来,天文、遥感和民用设备对探测器性能提出了更高的要求,这对HgCdTe红外探测器的设计和制备提出了新的挑战。HgCdTe红外探测器更精细的设计和加工技术为提高HgCdTe红外探测器性能提供解决思路。抑制器件的有害局域场、调控器件的有益局域场可以实现器件性能进一步的突破。但是,如何对HgCdTe光电器件局域场进行表征与分析,澄清HgCdTe光电器件中局域场相关的噪声及暗电流起源,是推动器件性能突破需解决的重要关键科学与技术问题。文中将总结HgCdTe红外光电探测器局域场表征与分析的研究进展,为新一代HgCdTe红外光电探测器发展提供基础支撑。

主 题 词：碲镉汞器件 微区光电流扫描技术 局域场 暗电流 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/IRLA20220277

馆 藏 号：203114372...