业界要闻

出 版 物：《中国集成电路》 (China lntegrated Circuit)

年 卷 期：2022年第31卷第8期

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摘      要：国内新闻中科院微电子所在新型垂直互补场效应晶体管(CFET)结构设计与仿真研究方面取得进展近日,中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心殷华湘/吴振华研究团队利用业界主流的设计工艺协同优化(DTCO)方法全面探索了互补场效应晶体管(CFET)的器件架构优势。据中科院微电子所介绍,CFET结构是对新一代先进工艺节点全环绕栅极(GAA)晶体管的进一步改进,将不同导电沟道类型(N-FET和P-FET)的GAA器件在垂直方向进行高密度三维单片集成,从而突破了传统N/P-FET共平面布局间距的尺寸限制.

主 题 词：场效应晶体管 微电子所 单片集成 工艺节点 集成电路 FET 国内新闻 协同优化 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203114392...