高压大功率晶体管3DD155K抗辐照设计

作     者：高广亮 张小平 刘帅 苏舟 王朝莹 刘威 GAO Guangliang;ZHANG Xiaoping;LIU Shuai;SU Zhou;WANG Chaoying;LIU Wei

作者机构：锦州辽晶电子科技有限公司锦州121011 

出 版 物：《微处理机》 (Microprocessors)

年 卷 期：2022年第43卷第4期

页      码：22-25页

摘      要：为应对星用电子装备对器件可靠性不断提高的需求、进一步提高高压NPN型功率晶体管的抗辐照能力,对高耐压大功率晶体管3DD155K进行了抗辐照加固设计。设计基于辐照效应对双极型器件的主要损伤机理,综合考虑产品芯片横、纵向结构参数及制造工艺等因素,在满足高耐压与高放大倍数指标前提下,选择合适的高阻层电阻率及厚度,设计适当的基区宽度、浓度及发射区尺寸等,加强复合型表面钝化层在提高抗辐照能力方面的作用。经实验,改进设计后的产品能够在星用场合下实现稳定可靠的运行。

主 题 词：抗辐照 3DD155K型晶体管 高压大功率 放大倍数 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1002-2279.2022.04.006

馆 藏 号：203114395...