一种基于BIFET工艺的采样保持电路

作     者：周远杰 罗寻 何峥嵘 王成鹤 范国亮 杨阳 徐佳丽 ZHOU Yuanjie;LUO Xun;HE Zhengrong;WANG Chenghe;FAN Guoliang;YANG Yang;XU Jiali

作者机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2022年第42卷第4期

页      码：317-322页

摘      要：基于双极兼容PJFET(BIFET)工艺,设计了一种单片采样保持电路,介绍了采样保持电路总体架构以及工作原理。电路内部包含输入级运算放大器、电压比较器、模拟开关、输出级运算放大器以及偏置电路等单元。对保持电路中的环路稳定性设计、保持模式下低漏电设计等关键技术进行了分析。芯片流片测试结果表明,该采样保持电路在±15V工作电压条件下,增益误差≤0.005%,失调电压≤3 mV,电源电流≤6.5 mA,电源抑制比≥80 dB,-3 dB带宽≥10 MHz,捕捉时间≤10μs,满足高精度数模转换器(ADC)前端对信号采样保持的应用需求。

主 题 词：BIFET工艺 采样保持电路 环路稳定性 保持低漏电 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19623/j.cnki.rpsse.20220321.001

馆 藏 号：203114453...