应用于弹载SiC MOSFET的RC吸收电路的设计与优化

作     者：张晓娟 景博 张劼 王洋 李红波 ZHANG Xiaojuan;JING Bo;ZHANG Jie;WANG Yang;LI Hongbo

作者机构：西京学院机械工程学院陕西西安710123 空军工程大学航空工程学院陕西西安710038 

基　　金：陕西省教育厅服务地方专项项目(21JC034) 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2022年第45卷第4期

页      码：810-815页

摘      要：SiC MOSFET作为新兴的宽禁带半导体,目前在电源设计中被广泛用于取代Si IGBT。然而在弹载电源这类严苛的应用场合,SiC MOSFET关断暂态带来的超调振荡影响了电源输出的稳定性和品质,并且降低了装置的可靠性。在分析SiC MOSFET开关特性及四种无源吸收电路优缺点的基础上,提出了一种针对SiC MOSFET关断暂态的RC吸收电路优化设计方案,给出了系统效率最优情况下的电路参数范围,提升了吸收电路研发的效率。最后,通过400V/20A双脉冲测试电路进行了实验验证。

主 题 词：SiC MOSFET 过应力 吸收电路 双脉冲测试 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2022.04.008

馆 藏 号：203114492...