基于瞬时功耗检测的SiC MOSFET短路保护策略

作     者：刘平 刘叶春 苗轶如 LIU Ping;LIU Yechun;MIAO Yiru

作者机构：江苏省输配电装备技术重点实验室江苏常州213022 湖南大学电气与信息工程学院长沙410082 

基　　金：江苏省输配电装备技术重点实验室开放资金资助项目(2021JSSPD11) 湖南省自然科学基金资助项目(2021JJ30116) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2022年第42卷第4期

页      码：263-268,280页

摘      要：针对SiC MOSFET对短路电流的耐受能力较弱的问题,设计了一种短路检测策略以提高其运行可靠性。基于SiC MOSFET在正常运行及短路故障状态下的瞬时功耗差异可形成短路判据,设计了瞬时功耗检测的SiC MOSFET短路检测方案和电路。仿真测试了其针对两种不同短路故障工况的监测性能,验证了提出的短路检测的有效性。结果表明提出的短路保护方法响应时间短,短路峰值电流小。

主 题 词：碳化硅 功率器件 短路保护 瞬时功耗 仿真验证 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.19623/j.cnki.rpsse.2022.04.003

馆 藏 号：203114493...