基于GaN HEMT器件的气体传感器制备及性能表征

作     者：何俊奇 李汶懋 He Junqi;Li Wenmao

作者机构：南方科技大学广东深圳518055 南方科技大学深港微电子学院广东深圳518055 

出 版 物：《中阿科技论坛（中英文）》 (China-Arab States Science and Technology Forum)

年 卷 期：2022年第9期

页      码：105-111页

摘      要：一氧化碳(CO)因其无色无味难以察觉且具有极强的毒性,被称为“无声的杀手”。相较于硅(Si)、二氧化硅(SiO_(2))等传统材料传感器,第三代半导体材料氮化镓(GaN)制备的传感器因材料具有更宽禁带而拥有耐腐蚀、化学稳定性高、耐高温等优势。本文针对CO气体设计了基于GaN HEMT器件制备气体传感器,并在不同温度下分别表征其对给定200 ppm的CO的响应性能、浓度梯度变化下响应性能以及输出、击穿、转移三项功率特性。实验结果验证了该结构器件可在高温(400℃)条件下实现低浓度(0.5 ppm)CO响应。

主 题 词：CO 气体传感器 GaN HEMT 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

馆 藏 号：203114529...