单分子水平研究非共价分子构象锁对电荷传输的影响

作     者：石洋洋 马静静 王治业 肖博怀 余蕾 李云川 孙铭俊 钱功明 常帅 SHI Yangyang;MA Jingjing;WANG Zhiye;XIAO Bohuai;YU Lei;LI Yunchuan;SUN Mingjun;QIAN Gongming;CHANG Shuai

作者机构：武汉科技大学材料与冶金学院武汉430081 省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室武汉430081 武汉科技大学资源与环境工程学院武汉430081 

基　　金：优秀中青年科技创新团队计划项目(T2021002) 

出 版 物：《光电子技术》 (Optoelectronic Technology)

年 卷 期：2022年第42卷第3期

页      码：181-186,192页

摘      要：采用扫描隧道显微镜(STM)对含NCLs的有机共轭模型分子进行单分子电导测量,在单分子水平上研究NCLs对分子内电荷传输的影响。研究表明,NCLs可以通过平面化分子构型和调节分子带隙来提高分子内的电荷传导,同时DFT计算证实NCLs可以通过建立额外的隧穿通道进一步提升分子内的电荷传导效率。研究结果可为基于NCL设计高效率的有机共轭光伏电池材料提供理论和实验依据。

主 题 词：单分子测量技术 扫描隧道显微镜 非成键构象锁 有机共轭模型分子 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.19453/j.cnki.1005-488x.2022.03.005

馆 藏 号：203114538...