基于多模干涉波导结构的90°光混频器设计与制作

作     者：陈伟 崔大建 黄晓峰 周浪 肖入彬 吴维 刘昆 左欣 王立 严银林 CHEN Wei;CUI Dajian;HUANG Xiaofeng;ZHOU Lang;XIAO Rubin;WU Wei;LIU Kun;ZUO Xin;WANG Li;YAN Yinlin

作者机构：重庆光电技术研究所重庆400060 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2023年第44卷第4期

页      码：515-518页

摘      要：设计并制作了一种基于多模干涉波导(MMI)结构的InP基90°光混频器芯片,该芯片的波导层材料为InGaAsP,包层和衬底材料为InP,芯片的单模波导宽度设计为2.6μm,多模干涉波导的长度和宽度分别设计为844和20μm。采用三维光束传播法(3D BPM),仿真分析了波导材料折射率、厚度、宽度和长度的工艺误差容限,仿真结果表明在1 535~1 565 nm波长范围内所设计的光混频器芯片的净插入损耗小于1 dB,相位偏差小于±5°。实验测试结果与仿真结果一致。

主 题 词：光混频器 磷化铟 多模干涉波导 相干光通信 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16818/j.issn1001-5868.2022081001

馆 藏 号：203114639...