GaAs单片移相器设计

作     者：周志鹏 杜小辉 代合鹏 ZHOU Zhi-peng;DU Xiao-hui;DAI He-peng

作者机构：南京电子技术研究所南京210013 

出 版 物：《微波学报》 (Journal of Microwaves)

年 卷 期：2005年第21卷第4期

页      码：54-57页

摘      要：本文选择了适于单片微波集成的移相器设计方案,使用砷化钾(GaAs)0.5 μm高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺原型,经微波电路、电场仿真,设计出五位移相器,并试制了180°位样片.试制样品尺寸1.5×1.0mm2,测试结果性能良好,在2.5～5.0GHz带宽内,移相起伏小于10°;在2.6～3.5GHz带宽内,移相起伏小于5°,同设计仿真结果基本吻合.

主 题 词：GaAs单片移相器 单片微波集成电路 GaAs工艺原型 高电子迁移率晶体管(HEMT) 单片移相器 设计 GaAs 高电子迁移率晶体管 3.5GHz 仿真结果 0.5μm 五位移相器 微波集成 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-6122.2005.04.015

馆 藏 号：203114697...