200V／250V PowerTrench^TM MOSFET

出 版 物：《国外电子元器件》 (International Electronic Elements)

年 卷 期：2007年第4期

页      码：79-79页

摘      要：飞兆半导体公司推出全新的FDB2614（200V）和FDB2710（250V）N沟道MOSFET，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板（PDP）应用提供系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的PowerTrench^TM工艺技术，这些MOSFET较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗RDS（on）（FDB2614的典型值为22．9mΩ；FDB2710的典型值为36．3mΩ）。

主 题 词：N沟道MOSFET 飞兆半导体公司 等离子体显示板 RDS(on) 导通阻抗 器件 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203114740...