灭弧室内屏蔽罩上电位与真空度的关系

作     者：李卫国 吴军 田涛 LI Wei-guo;WU Jun;TIAN Tao

作者机构：华北电力大学电气工程学院北京102206 华北电力大学控制理论与控制工程学院北京102206 

基　　金：国家自然科学基金(50507003)。 

出 版 物：《高电压技术》 (High Voltage Engineering)

年 卷 期：2007年第33卷第6期

页      码：133-136,142页

摘      要：为分析真空断路器灭弧室内真空度(即内部气体压强)与屏蔽罩上电位的关系,设计了一套模拟真空断路器运行环境和检测屏蔽罩上电位的试验系统。试验发现真空度下降到一定值时屏蔽罩上形成的交流电位幅值会发生变化,同时屏蔽罩上还会有直流电位生成。分析表明,两种电位的变化都是由于在真空度下降时金属导杆和触头电极与屏蔽罩之间出现的汤森放电所导致,并且电位变化时对应的真空度相同。在此基础上制作了简单、实用的真空度检测探头,该探头通过检测屏蔽罩上形成的工频交流电位的相对变化实现了灭弧室内真空度的检测。对比探头测得的信号和试验测量仪器直接测得的信号,可知探头的准确度和灵敏度能满足实际要求。

主 题 词：屏蔽罩 真空度 汤森放电 场致发射 交流电位 直流电位 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-6520.2007.06.032

馆 藏 号：203114748...