基于ARM7TDMI的TLB组织结构及存储保护设计

作     者：张启晨 洪俊峰 刘新宁 张萌 ZHANG Qi-chen;HONG Jun-feng;LIU Xin-ning;ZHANG Meng

作者机构：东南大学国家专用集成电路系统工程研究中心南京210096 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2008年第31卷第2期

页      码：705-708页

摘      要：基于ARM7TMDI嵌入式处理器内核设计了一种兼容ARM720T存储管理机制的转换后备缓冲器(TLB)组织结构,建立了TLB的Verilog仿真模型,设计了相对应的存储保护模块。该TLB采用64页表项全关联结构,同时支持多种页转换方式和页表项命中控制,并且通过复用设计节省了硬件资源。通过整合TLB、存储保护模块和ARM7TMDI的仿真模型,采用VCS仿真软件进行仿真验证,结果证实了设计的有效性和正确性。

主 题 词：TLB 存储管理 存储保护 ARM7TDMI 

学科分类：08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2008.02.082

馆 藏 号：203114770...