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200 keV脉冲硬X射线源能谱测量技术

200 keV脉冲硬X射线源能谱测量技术

作     者:苏兆锋 孙江 蔡丹 孙铁平 SU Zhaofeng;SUN Jiang;CAI Dan;SUN Tieping

作者机构:强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所西安710024 

基  金:国家自然科学基金资助项目(11705150) 

出 版 物:《现代应用物理》 (Modern Applied Physics)

年 卷 期:2022年第13卷第3期

页      码:33-38,73页

摘      要:根据基于吸收法的脉冲硬X射线能谱测量的基本原理,以12路Si-PIN探测器阵列及吸收片为测量核心部件,完成了能谱仪的结构设计,并对主要参数进行了实验标定。实验测量了真空环境下大面积脉冲硬X射线源加速器产生的射线强度,获得了不同衰减程度的实验波形。结合不同能量的射线经不同厚度的吸收片后在探测器阵列上的能量沉积,通过解谱获得了脉冲硬X射线的能谱,射线能量最高约为200 keV,平均能量约为51.9 keV。本文能谱测量技术丰富了脉冲射线辐射场参数测量手段,为进一步发展脉冲硬X射线束流诊断研究提供了技术支撑。

主 题 词:脉冲硬X射线 Si-PIN探测器阵列 吸收法 奇异值法 能谱 

学科分类:082704[082704] 08[工学] 0827[工学-食品科学与工程类] 082701[082701] 

D O I:10.12061/j.issn.2095-6223.2022.030204

馆 藏 号:203114779...

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