电化学工艺技术

出 版 物：《集成电路应用》 (Application of IC)

年 卷 期：2008年第25卷第11期

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摘      要：AquiVia技术专为穿，透硅通孔（TSV）内电解沉积保形、一致的绝缘层和阻挡层而设计，TSV深宽比达到10：1。结合Alchimer公司eG Via Coat技术，AquiVia能够利用同一套设备完成沉积绝缘层、阻挡层和籽晶层。

主 题 词：电化学工艺 技术 电解沉积 阻挡层 绝缘层 深宽比 TSV Via 

学科分类：080903[080903] 081702[081702] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 

馆 藏 号：203114796...