具有部分超结的新型SiC SBD特性分析

作     者：杨银堂 耿振海 段宝兴 贾护军 余涔 任丽丽 Yang Yin-Tang;Geng Zhen-Hai;Duan Bao-Xing;Jia Hu-Jun;Yu Cen;Ren Li-Li

作者机构：西安电子科技大学微电子学院、宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 

基　　金：国家部委预研项目(批准号:51308030201 9140A08050509DZ0106)资助的课题 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2010年第59卷第1期

页      码：566-570页

摘      要：提出了一种具有部分超结(super junction,SJ)结构的新型SiC肖特基二极管,命名为SiC Semi-SJ-SBD结构,通过将常规SBD耐压区分为常规耐压区和超结耐压区来减小导通电阻,改善正向特性.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真分析,研究了不同超结深度和厚度时击穿电压(VB)和比导通电阻(Ron-sp),与常规结构的SBD比较得出,半超结结构可以明显改善SiC肖特基二极管特性,并得到优化的设计方案,选择超结宽度2W为2μm,3μm,超结深度大于5μm,可以使Ron-sp降低量大于10%,而且保持VB基本不变(降低量小于4%).

主 题 词：SiC肖特二极管 super junction 导通电阻 击穿电压 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.59.566

馆 藏 号：203114847...