确定JFET特性的简单电路

作     者：John Fattaruso 

作者机构：德州达拉斯 

出 版 物：《电子设计技术 EDN CHINA》 (EDN CHINA)

年 卷 期：2012年第19卷第7期

页      码：59-59,62页

摘      要：当使用分立的JFET时，设计者可能需要将大量可变的器件参数与某个给定的晶体管型号相适应。一般会使用平方律方程，作为JFET漏极电流特性的一个近似模型：ID=p（VGs—VP）2，其中，ID是漏极电流。VGS是栅源电压，β是跨导参数，

主 题 词：JFET 电流特性 简单电路 器件参数 近似模型 漏极电流 晶体管 设计者 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1023-7364.2012.07.021

馆 藏 号：203114966...