Au/Sn共晶键合技术在MEMS封装中的应用

作     者：胥超 徐永青 杨拥军 杨志 

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 专用集成电路重点实验室石家庄050051 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2014年第51卷第2期

页      码：131-135页

摘      要：研究了Au/Sn共晶圆片键合技术在MEMS气密性封装中的应用。设计了共晶键合多层材料的结构和密封环图形,盖帽层采用Ti/Ni/Au/Sn/Au结构,器件层采用Ti/Ni/Au结构,盖帽层腔体尺寸为4.5 mm×4.5 mm×20μm,Au/Sn环的宽度为700μm,优化了键合工艺,对影响气密性的因素(如组分配比、键合前处理和键合温度等)进行了分析。两层硅片在氮气气氛中靠静态的压力实现紧密接触。在峰值温度为300℃、持续时间为2 min的条件下实现了良好的键合效果,其剪切力平均值达到16.663 kg,漏率小于2×10-3 Pa·cm3/s,满足检验标准(GJB548A)的要求,验证了Au/Sn共晶键合技术在MEMS气密封装中的适用性。

主 题 词：圆片级键合 键合温度 前处理 应力 剪切强度 漏率 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 081102[081102] 0811[工学-水利类] 

D　O　I：10.13250/j.cnki.wndz.2014.02.012

馆 藏 号：203115033...