基于TD-LTE终端的连续时间ΣΔ ADC的设计

作     者：黄沫 陈弟虎 叶晖 徐肯 郭建平 HUANG Mo;CHEN Dihu;YE Hui;XU Ken;GUO Jianping

作者机构：中山大学理工学院广东广州510275 广州市广晟微电子有限公司广东广州510006 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院广东佛山528300 

基　　金：国家科技重大专项资助项目(2009ZX03002-004) 广东省战略新兴产业关键技术产业化专项资助项目(2011912004) 

出 版 物：《中山大学学报（自然科学版）》 (Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni)

年 卷 期：2014年第53卷第5期

页      码：8-13页

摘      要：为了降低TD-LTE终端功耗,采用0.13-μm CMOS工艺实现了一款基于TD-LTE终端的连续时间ΣΔADC。采用该ADC的TD-LTE接收机省去了传统接收机中的低通滤波器,节省了功耗。该ADC采用了3阶、3位量化的结构,并用较简单的方法实现了多余环路延迟(ELD)的补偿。该ADC的硅片测试结果显示在TD-LTE的20 MHz带宽下实现了66 dB的动态范围,功耗为25.1 mA。

主 题 词：TD-LTE ∑△ ADC 连续时间 多余环路延迟(ELD) 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.13471/j.cnki.acta.snus.2014.05.027

馆 藏 号：203115079...