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512×512 MOS电阻阵列驱动控制方法研究

512×512 MOS电阻阵列驱动控制方法研究

作     者:钟国雳 廖守亿 杨薪洁 ZHONG Guoli;LIAO Shouyi;YANG Xinjie

作者机构:火箭军工程大学精确制导与仿真实验室陕西西安710025 

出 版 物:《红外技术》 (Infrared Technology)

年 卷 期:2022年第44卷第10期

页      码:1052-1058页

摘      要:MOS电阻阵列是构成红外成像目标仿真系统的关键核心设备,其投射出的红外图像的质量将直接影响红外成像制导半实物仿真试验的逼真度和可信度。针对新一代国产512×512元MOS电阻阵列工作方式的改变、像元规模与图像数据传输量的倍增对驱动控制系统提出的更高要求,研究了与其配套的驱动控制方案。研究基于光纤数据传输、PCI-E高速总线、FPGA解决了高数据吞吐率、高精度时序信号生成问题,并设计了一种多路模拟信号高速建立的方法。经仿真验证表明,该驱动方案可满足512×512 MOS电阻阵列快照模式下图像刷新率达到200 Hz,单个像元灰度等级为16 bit,为电阻阵列的实际工程应用提供了参考。

主 题 词:红外成像制导 MOS电阻阵列 图像刷新率 PCI-E总线 快照模式 

学科分类:080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录:

馆 藏 号:203115087...

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