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三值CMOS反相器的研究

三值CMOS反相器的研究

作     者:吴训威 

作者机构:杭州大学物理系 

基  金:国家自然科学基金 

出 版 物:《科技通报》 (Bulletin of Science and Technology)

年 卷 期:1989年第5卷第2期

页      码:1-3,31页

摘      要:在对传输函数理论研究的基础上,本文提出了三值CMOS反相器的新设计。该设计能解释传统的三值CMOS反相器的设计。计算机模拟也表明了它的DC传输特性优于传统设计。一、传统的三值CMOS反相器设计反相器是任何逻辑电路的基本元件。在二值逻辑中CMOS反相器由一对PMOS与NMOS管组成,它们的栅极接受输入信号。在正常的工作情况下,二管处于两种组合的开关状态:

主 题 词:反相器 CMOS 三值逻辑 设计 

学科分类:08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

D O I:10.13774/j.cnki.kjtb.1989.02.001

馆 藏 号:203115190...

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