石墨烯上远程外延Ge纳米柱

作     者：谢景龙 袁国文 廖俊杰 潘睿 樊星 张微微 袁紫媛 李晨 高力波 芦红 XIE Jinglong;YUAN Guowen;LIAO Junjie;PAN Rui;FAN Xing;ZHANG Weiwei;YUAN Ziyuan;LI Chen;GAO Libo;LU Hong

作者机构：固体微结构物理国家重点实验室南京210093 南京大学现代工程与应用科学学院南京210023 南京大学物理学院南京210093 江苏省功能材料设计原理与应用技术重点实验室南京210023 

基　　金：国家重点研发计划(2018YFA0306200,2017YFA0303702) 国家自然科学基金重点项目(51732006,11890702,51721001) 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2022年第51卷第9期

页      码：1769-1776页

摘      要：远程外延能够突破传统外延中晶格匹配、热匹配等限制,近年来得到了广泛的关注。Ⅲ-Ⅴ族和Ⅲ-氮化合物半导体已经成功在石墨烯上远程外延生长,但Ⅳ族半导体的远程外延很少被报道。本文首次借助于分子束外延技术在石墨烯上远程外延制备了半导体Ge纳米柱,研究了其生长特性及剥离转移。结果表明:远程外延生长的Ge纳米柱为[111]c晶向,集中分布在石墨烯的褶皱以及衬底Cu-Ni原子台阶处,随着生长温度的提高,Ge纳米柱的高度和密度逐渐下降,但直径差别不大,约为55~65 nm,此外,自组织生长的Ge纳米棒显示无应变的生长状态,引入少量Sn形成GeSn纳米柱,能够显著提升Ge纳米柱的面密度。同时,生长的Ge纳米柱可实现剥离,有望实现异质集成,应用于先进光电子器件等领域。

主 题 词：石墨烯 远程外延 分子束外延 锗纳米柱 硅基集成 半导体 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-985X.2022.09.026

馆 藏 号：203115226...