高压抗辐射横向扩散金属氧化物半导体的设计与研究

作     者：初飞 陈洪转 彭领 王瑛 宁静怡 CHU Fei;CHEN Hongzhuan;PENG Ling;WANG Ying;NING Jingyi

作者机构：南京航空航天大学南京211106 北京微电子技术研究所北京100076 

出 版 物：《辐射研究与辐射工艺学报》 (Journal of Radiation Research and Radiation Processing)

年 卷 期：2022年第40卷第5期

页      码：82-88页

摘      要：针对宇航级功率集成电路中横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件抗单粒子辐射性能低的问题,开展了高压LDMOS抗单粒子效应加固技术的研究,采用重掺杂P+well及漏区缓冲层结构设计了一种耐压为60 V的N型LDMOS器件。利用TCAD软件对重掺杂P+well及漏区缓冲层结构的加固机理进行仿真分析,并对回片器件利用Ta离子(线性能量转移,LET=79.2 MeV·cm^(2)/mg)进行辐照试验验证,结果表明,提高Pwell掺杂浓度和采用缓冲层结构可将高压LDMOS器件抗单粒子烧毁电压提升至60 V。

主 题 词：功率集成电路 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 单粒子烧毁 单粒子栅穿 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.11889/j.1000-3436.2022-0035

馆 藏 号：203115241...