GaAs与Si之间过渡层的设计及其分析

作     者：谭红琳 王雪雯 TAN Hong-lin;WANG Xue-wen

作者机构：昆明理工大学材料系云南昆明650093 云南广播电视学校云南昆明650041 

基　　金：云南省自然科学基金资助项目(99F0042M) 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2004年第35卷第Z1期

页      码：3228-3230,3234页

摘      要：从理论上计算出GaAs/Si异质结在Si的(211)面上界面态密度最小,故GaAs在Si(211)面上生长晶格失配度较小.同时,为了缓解晶格失配,我们采用生长一层GaAs多晶层或Te过渡层得到较好的结果.

主 题 词：晶格失配 界面态密度 过渡层 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.907

馆 藏 号：203115371...