一款高线性度正电压控制的压控衰减器

作     者：许传栋 苏郁秋 董思源 李光超 周宏健 XU Chuandong;SU Yuqiu;DONG Siyuan;LI Guangchao;ZHOU Hongjian

作者机构：中科芯集成电路有限公司江苏无锡214000 

出 版 物：《电子设计工程》 (Electronic Design Engineering)

年 卷 期：2022年第30卷第21期

页      码：71-74,79页

摘      要：针对高线性度压控衰减器对正电压作为控制信号的需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)0.25μm工艺,设计了一款1~6 GHz正电压控制的高线性度微波单片压控衰减器(VCA)。该压控衰减器控制管芯选择电阻变化率更小的D-mode PHEMT晶体管,通过电压浮地技术和采用片上集成隔直电容的方式,对传统的T型衰减电路的拓扑结构进行改进,从而实现0~5 V的正电压控制和高线性度。芯片在片测试结果表明,基态插入损耗小于2.3 dB,端口输入、输出电压驻波比小于1.6∶1,压控衰减器的衰减动态范围为0~28 dB,芯片尺寸为1.75 mm×1.35 mm×0.1 mm。

主 题 词：砷化镓 正电压控制 高线性度 压控衰减器 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14022/j.issn1674-6236.2022.21.015

馆 藏 号：203115467...