SiN_(x)填充的定向耦合器型偏振无关解复用器

作     者：汪静丽 刘海广 张跃腾 宋雨辰 沈晗潇 陈鹤鸣 Wang Jingli;Liu Haiguang;Zhang Yueteng;Song Yuchen;Shen Hanxiao;Chen Heming

作者机构：南京邮电大学电子与光学工程学院、柔性电子(未来技术)学院江苏南京210023 南京邮电大学贝尔英才学院江苏南京210023 

基　　金：国家自然科学基金(61571237) 江苏省自然科学基金(BK20151509) 南京邮电大学校级科研基金(NY217047) 

出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期：2022年第42卷第19期

页      码：167-175页

摘      要：设计了一种基于SiN_(x)填充的定向耦合器(DC)型偏振无关解复用器,用于分离1310 nm和1550 nm两个波长的光信号。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法调节DC波导间隙内填充的SiN_(x)材料的折射率,使同一波长下横电(TE)偏振模和横磁(TM)偏振模的耦合长度相等,实现器件的偏振无关功能。通过优化波导间隙,调整两个波长光信号所对应的耦合长度比,选择合适的值可使其分别从两个端口输出,实现波长分离功能。运用三维有限时域差分方法进行建模仿真,对器件进行参数优化和性能分析。结果表明:所提出的解复用器的耦合区长度仅为22.8μm,插入损耗和串扰(CT)分别低至0.05 dB和-21.58 dB,CT小于-10 dB的带宽可达79 nm,且总体容差性良好。所设计的器件在未来的集成光路系统中具有潜在的应用价值。

主 题 词：光学器件 定向耦合器 偏振无关 SiN_(x) 解复用器 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/AOS202242.1923002

馆 藏 号：203115476...