一种新型C频段高效率移相GaN功率放大器

作     者：梁勤金 董四华 郑强林 余川 

作者机构：中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室四川绵阳621900 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050002 

出 版 物：《电讯技术》 (Telecommunication Engineering)

年 卷 期：2013年第53卷第5期

页      码：623-627页

摘      要：研制了一种性能优良的全固态C频段高效率移相氮化镓(GaN)功率放大器模块。介绍了该功放模块设计方案及工作原理,并给出了该功放模块技术参数实验测试结果。该模块输出功率30W,带宽10MHz,带有6位移相功能,具有C频段高频率、固态、小型化、高效率、高功率密度、高击穿电压特性,是一种目前国内外尚无类似集成设计的最新高性能氮化镓(GaN)功率放大器模块。因其功放模块输出末级采用了美国Cree公司第三代宽禁带GaN功放管优化设计,实现了固态C频段高效率功率输出。

主 题 词：固态功率放大器 C频段GaN功率放大器 高效率 宽禁带GaN器件 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-893x.2013.05.019

馆 藏 号：203115537...