基于带符号位的浮点数运算的多位宽3D RRAM设计

作     者：王兴华 王天 王乾 李潇然 WANG Xinghua;WANG Tian;WANG Qian;LI Xiaoran

作者机构：北京理工大学集成电路与电子学院北京100081 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61801027 62101038) 

出 版 物：《北京理工大学学报》 (Transactions of Beijing Institute of Technology)

年 卷 期：2022年第42卷第12期

页      码：1299-1304页

摘      要：本文介绍了卷积神经网络(convolutional neutral network,CNN)系统中具有多位存储的三维阻变式存储器(threedimensional resistive random-access memory,3D RRAM)的带符号位的浮点数运算.与其他类型存储器相比,3D RRAM可以在存储器内部进行运算,且具有更高的读取速率和更低的能耗,为解决冯诺依曼架构的瓶颈问题提供新方案.单个RRAM单元的最大和最小电阻分别达到10 GΩ和10 MΩ,可在多级电阻状态下稳定,以存储多比特位宽的数据.测试结果表明,带符号位的浮点数的卷积运算系统的精度可以达到99.8%,测试中3D RRAM模型的峰值读取速度为0.529 MHz.

主 题 词：3D RRAM 存算一体 带符号位的浮点数卷积运算 多级电阻 峰值读取速度 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.15918/j.tbit1001-0645.2021.358

馆 藏 号：203115618...