显卡散热器电磁辐射仿真和结构优化

作     者：朱振辉 SHU Charlie ZHU Zhenhui;SHU Charlie

作者机构：英伟达半导体(深圳)有限公司SI&EMC部广东深圳518057 NVIDIA公司SI&EMC部美国圣塔克拉拉95050 

出 版 物：《计算机辅助工程》 (Computer Aided Engineering)

年 卷 期：2013年第22卷第5期

页      码：108-111页

摘      要：针对显卡散热器设计越来越大,电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)易超标的问题,采用ANSYS HFSS建立不同接地方式的某显卡散热器模型,分析所带来的辐射变化;计算散热器与PCB间的寄生参数,优化散热器形状来改变辐射方向,从而有效降低电磁辐射.在屏蔽暗室中进行测试验证,结果表明,优化后显存时钟基频辐射的峰值和准峰值远远小于优化前的值,使产品顺利通过CISPR22 Class B测试,并使该产品顺利、及时地上市.

主 题 词：显卡 金属散热器 电磁辐射 接地方式 辐射方向 HFSS ANSYS 

学科分类：08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1006-0871.2013.05.021

馆 藏 号：203115619...