超结DMOSFET元胞区与终端区的耐压匹配优化设计

作     者：王迎春 马捷 侯杰 刘进松 罗蕾 任敏 李泽宏 Wang Yingchun;Ma Jie;Hou Jie;Liu Jinsong;Luo Lei;Ren Min;Li Zehong

作者机构：济南市半导体元件实验所济南250014 电子科技大学电子科学与工程学院成都611731 

基　　金：国家重点研发计划资助项目(2006ZYGQ0204) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2022年第47卷第12期

页      码：965-971页

摘      要：雪崩耐量是表征超结双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(SJ-DMOSFET)可靠性的重要指标。寻找提高SJ-DMOSFET雪崩耐量的方法一直是学术界和产业界的研究热点。通过对SJ-DMOSFET器件-电路联合仿真,深入分析了非钳位感性开关(UIS)过程中雪崩击穿点在元胞区和终端区之间的转移。结果表明元胞区和终端区的耐压匹配状况对SJ-DMOSFET的雪崩耐量具有显著影响。将元胞区耐压设计为略低于终端区耐压,是兼顾SJ-DMOSFET击穿电压和可靠性的最优方案。通过器件制作并测试,器件的雪崩耐量平均值由原来的0.65 J提高到0.89 J,验证了新设计的正确性。

主 题 词：超结 雪崩耐量 元胞 终端区 击穿电压 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.12.005

馆 藏 号：203115668...