一种基于ASM-HEMT模型改进陷阱效应的GaN HEMT器件非线性模型

作     者：李静强 赵哲言 王生国 付兴中 魏碧华 Li Jingqiang;Zhao Zheyan;Wang Shengguo;Fu Xingzhong;Wei Bihua

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 专用集成电路重点实验室石家庄050051 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2022年第47卷第12期

页      码：972-978,1026页

摘      要：GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受制于陷阱效应,建立准确的非线性模型非常困难。介绍了表面势物理基高电子迁移率高级电路模型(ASM-HEMT),分析了标准ASM-HEMT模型在表征陷阱效应方面的不足,进而建立了新的陷阱模型电路拓扑及模型方程,新陷阱模型可以更好地表征器件陷阱俘获和释放电子的不对称性。基于0.25μm GaN HEMT器件,进行了脉冲I-V、多偏置S参数、负载牵引仿真及测试,并对新模型进行参数提取和建模。经过对比仿真和测试结果发现,新模型的仿真结果与实测结果比标准ASM-HEMT模型更加吻合,说明新模型表征陷阱效应更加准确,提升了模型的准确性,进而提高GaN HEMT功率放大器设计仿真的准确性。

主 题 词：GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 高电子迁移率高级电路模型(ASM-HEMT) 非线性模型 陷阱效应 电流崩塌效应 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.12.006

馆 藏 号：203115681...