激光照射对IDTBT突触晶体管突触权重的调控

作     者：杜世远 杨倩 Du Shiyuan;Yang Qian

作者机构：福建卫生职业技术学院福州350101 福州大学至诚学院福州350002 福州大学平板显示技术国家地方联合工程实验室福州350108 

基　　金：中国福建光电信息科学与技术创新实验室(闽都创新实验室)主任基金资助项目(2021ZR149) 福建省教育厅中青年教师教育科研项目(JAT210641) 福建卫生职业技术学院闽台合作研究专项(2018-2-13) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2022年第47卷第12期

页      码：985-990页

摘      要：人工突触晶体管具有低功耗、高可扩展性以及与生物突触的结构相似性,在人工智能领域展示出巨大的潜力。实现多功能突触晶体管的关键步骤之一是实现突触权重的调控。制备工艺复杂、调控方式繁琐和调节精度低是突触权重调控面临的主要问题。制备了基于茚并二噻吩共苯并噻二唑(IDTBT)的有机突触晶体管,在绝缘层薄膜溅射完成后,利用激光对绝缘层薄膜进行照射处理。探究了不同激光照射强度对突触权重调控的影响,包括兴奋性突触后电流(EPSC)、双脉冲易化(PPF)和长程增强(LTP),证明了激光照射可以调控绝缘层薄膜中氧空位的数量,从而精确调节突触权重。在不改变器件几何结构和材料的前提下,实现了室温环境下快速、精确的突触晶体管突触权重调控,为未来的神经形态计算硬件设计提供参考。

主 题 词：晶体管 突触 权重 激光 茚并二噻吩共苯并噻二唑(IDTBT) 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.12.008

馆 藏 号：203115682...